NexTron

회사소개

반도체 기술로 미래를 설계하는 넥스트론의 이야기

CEO Message

대표이사 인사말

CEO 이승호

"반도체는 단순한 칩이 아닙니다.
인류의 미래를 설계하는 핵심 기술입니다."

안녕하십니까, 넥스트론 반도체 대표이사 이승호입니다.

넥스트론 반도체는 1993년 창립 이래, 대한민국 반도체 산업의 성장과 함께 걸어왔습니다. 메모리 반도체에서 시작하여 시스템 반도체, 파운드리까지 사업 영역을 확대하며 글로벌 종합 반도체 기업으로 성장하였습니다.

AI, 자율주행, 6G 등 미래 기술의 중심에는 항상 반도체가 있습니다. 넥스트론은 3nm GAA 공정, HBM3E 메모리, AI 전용 NPU 등 차세대 핵심 기술에 과감히 투자하며, 반도체 기술의 한계를 끊임없이 돌파하고 있습니다.

또한, 전 세계 7개 생산 거점과 5개 연구소를 운영하며 글로벌 공급망의 핵심 파트너로서 책임을 다하겠습니다. 탄소중립 2040 달성, ESG 경영 실천 등 지속가능한 성장을 위한 노력도 멈추지 않겠습니다.

넥스트론 반도체에 대한 관심과 성원에 깊이 감사드리며, 기술 혁신으로 더 나은 미래를 만들어 가겠습니다.

넥스트론 반도체 대표이사 이 승 호
Vision & Values

비전 & 핵심가치

반도체 기술로 인류의 미래를 설계합니다

기술 초격차

경쟁사 대비 1세대 앞선 공정 기술을 확보하고, 지속적 혁신으로 반도체 기술의 미래를 선도합니다.

고객 중심

글로벌 파트너에게 최적의 반도체 솔루션을 제공하며, 신뢰를 바탕으로 장기적 파트너십을 구축합니다.

지속가능 경영

탄소중립 2040을 목표로 친환경 공정, 재생에너지 전환, 자원 순환을 실천하며 지구와 함께 성장합니다.

Our Vision 2030

반도체 기술 초격차로
AI 시대의 글로벌 No.1

History

넥스트론 연혁

32년간의 기술 혁신의 발자취

2025

AI 반도체 시대 선도

HBM3E 양산 개시, 연간 매출 52조원 달성
미국 텍사스 파운드리 팹 착공
2nm GAA 공정 개발 완료

2022

3nm 공정 시대 개막

3nm GAA 공정 업계 최초 양산
평택 Fab 3 가동
자동차 반도체 사업부 신설

2018

EUV 공정 도입

7nm EUV 파운드리 양산 시작
AI 반도체 연구소 설립
HBM2 개발 성공

2012

파운드리 사업 본격화

14nm FinFET 공정 개발
파운드리 전담 사업부 출범
중국 시안 메모리 팹 준공

2005

시스템 반도체 확대

모바일 AP 자체 개발 (NexCore 1)
KOSPI 상장
이미지센서 사업 진출

1998

글로벌 도약

256M DRAM 세계 최초 개발
미국 오스틴 연구소 설립
NAND Flash 사업 개시

1993

창립

넥스트론 반도체 설립
기흥 제1 Fab 준공
DRAM 양산 개시

Global Network

글로벌 네트워크

전 세계 4개국 7개 생산 거점, 5개 연구소

본사 (서울)

서울특별시 서초구
서초대로 398

기흥 캠퍼스

경기도 용인시 기흥구
R&D + Fab 1~2

평택 캠퍼스

경기도 평택시
Fab 3~5 (최첨단)

Austin, TX

미국 텍사스
파운드리 팹 + 연구소