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메모리 반도체

DRAM, NAND Flash, HBM3E 등 세계 최고 수준의 메모리 반도체를 개발하고 양산합니다.

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시스템 LSI

모바일 AP, 이미지센서, AI 가속기, 자동차용 반도체 등 차세대 시스템 반도체를 설계합니다.

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파운드리

3nm GAA 공정부터 성숙 공정까지, 글로벌 팹리스 고객에게 최적의 위탁생산 서비스를 제공합니다.

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뉴스
보도자료 2026.01.28

넥스트론, 2nm GAA 공정 개발 완료 - 2027년 양산 목표

넥스트론 반도체가 차세대 2nm GAA(Gate-All-Around) 공정 기술 개발을 완료하고 2027년 양산을 목표로 준비에 들어갔다고 밝혔습니다.

뉴스
IR 2026.01.20

2025년 4분기 실적 발표 - HBM 매출 전년비 280% 성장

넥스트론 반도체의 2025년 4분기 실적이 발표되었습니다. HBM 수요 급증으로 메모리 부문 매출이 큰 폭으로 성장했습니다.

뉴스
보도자료 2026.01.12

미국 텍사스 신규 파운드리 팹 착공식 개최

넥스트론 반도체가 미국 텍사스 오스틴에 총 200억 달러 규모의 차세대 파운드리 팹 착공식을 개최했습니다.

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